A.入射γ光子能量很低時(shí),光電子向入射γ光子的正前方(0°)發(fā)射
B.入射γ光子能量很低時(shí),光電子向入射γ光子的正后方(180°)發(fā)射
C.入射γ光子能量很低時(shí),光電子在垂直于入射γ光子方向上發(fā)生
D.入射γ光子能量增加時(shí),光電子逐漸向后角發(fā)射
E.入射γ光子能量減少時(shí),光電子逐漸向前角發(fā)射
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A.光電效應(yīng)是光子把部分能量轉(zhuǎn)移給某個(gè)束縛電子使之變?yōu)楣怆娮拥倪^程
B.光電效應(yīng)是光子把全部能量轉(zhuǎn)移給原子核使電子變?yōu)楣怆娮拥倪^程
C.光電效應(yīng)是光子把全部能量轉(zhuǎn)移給某個(gè)束縛電子使之變?yōu)楣怆娮拥倪^程
D.靶物質(zhì)原子序數(shù)低時(shí)發(fā)生光電效應(yīng)的幾率較高
E.光電效應(yīng)不需要原子核參與作用
A.電子線與物質(zhì)間的主要作用方式
B.X(γ)線與物質(zhì)間的主要作用方式
C.質(zhì)子射線與物質(zhì)間的主要作用方式
D.中子射線與物質(zhì)間的主要作用方式
E.重離子射線與物質(zhì)間的主要作用方式
A.使用高電位差或微波電場(chǎng)加速電子后打到高原子序數(shù)物質(zhì)的靶上,產(chǎn)生韌致輻射
B.使用低電位差或微波電場(chǎng)加速電子后打到高原子序數(shù)物質(zhì)的靶上,產(chǎn)生韌致輻射
C.使用高電位差或微波電場(chǎng)加速電子后打到低原子序數(shù)物質(zhì)的靶上,產(chǎn)生韌致輻射
D.使用高電位差或激光光波加速電子后打到高原子序數(shù)物質(zhì)的靶上,產(chǎn)生韌致輻射
E.使用高溫加速電子后打到高原子序數(shù)物質(zhì)的靶上,產(chǎn)生韌致輻射
A.帶電粒子與原子核發(fā)生非彈性碰撞,一部分動(dòng)能轉(zhuǎn)變成韌致輻射
B.帶電粒子與原子核發(fā)生多次彈性碰撞
C.帶電粒子與核外電子發(fā)生非彈性碰撞導(dǎo)致原子的電離或激發(fā)
D.帶電粒子與核外電子發(fā)生多次彈性碰撞,最后耗盡初始動(dòng)能
E.帶電粒子的能量使靶物質(zhì)變熱,使其氣化和蒸發(fā)
A.與核外電子發(fā)生彈性與非彈性碰撞
B.與質(zhì)子發(fā)生彈性與非彈性碰撞、與中子發(fā)生彈性與非彈性碰撞
C.與核外電子發(fā)生彈性與非彈性碰撞、與原子核發(fā)生彈性與非彈性碰撞
D.與核外電子發(fā)生彈性與非彈性碰撞、與中子發(fā)生彈性與非彈性碰撞
E.與核外電子發(fā)生彈性與非彈性碰撞、與質(zhì)子發(fā)生彈性與非彈性碰撞
最新試題
一個(gè)6cm×14cm的矩形照射野,其等效方野的邊長(zhǎng)為()
射野擋鉛一般具有能夠?qū)⑾鄳?yīng)能量的射線衰減95%的厚度,其厚度應(yīng)該為()
放射防護(hù)的三項(xiàng)基本原則是()
高能電子束的PDD曲線可大致分為()
60鈷放射源的衰變遵從指數(shù)衰變定律,其半衰期是5.27年(每月衰減約1.1%),一個(gè)5000Ci的源兩年后會(huì)衰減到()
楔形照射野的楔形角是()
為了防止隨機(jī)性效應(yīng),放射工作人員受到全身均勻照射時(shí)的年劑量當(dāng)量()
高能電子線等劑量線分布的顯著特點(diǎn)是()
射野擋鉛的制作材料一般是()
當(dāng)使用電子線照射需要作內(nèi)遮擋時(shí),為了降低電子束的反向散射,通常在擋鉛與組織之間()