圖10-20所示電容元件的u（0）=0，i（t）=6A，則u（t）等于（）V。
A.1-）
B.4（1-）
C.9（1-）
D.36（1-）
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圖10-19所示電路中，7V電壓源吸收功率為（）W。
A.14
B.-7
C.-14
D.7
圖10-18所示電路的等效電阻Rab應(yīng)為下列選項(xiàng)中的（）Ω。
A.5
B.5.33
C.5.87
D.3.2
如圖10-16所示，L1=L2=10H，C=1000μF，M從0變至6H時(shí)，諧振角頻率的變化范圍應(yīng)為（）rad／S。
A.10～10／
B.0～∞
C.10～12.5
D.不能確定
圖10-15所示電路的戴維寧等效電路參數(shù)U和R應(yīng)為下列各組數(shù)值中的（）。
A.3V，1.2Ω
B.3V，1Ω
C.4V，14Ω
D.36V，1.2Ω
A.U＝6V，R0＝3Ω
B.U＝8V，R0＝3Ω
C.U＝10V，R0=2Ω
D.不能確定
最新試題
如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。
在圖10-61所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，則i2（0+）=（）A。
一同軸電纜長(zhǎng)1=2m，其芯線導(dǎo)體半徑r1=1cm，鉛皮外殼內(nèi)半徑r2=6cm，導(dǎo)體間絕緣材料的電阻率ρ=1×109Ω*m，當(dāng)內(nèi)導(dǎo)體與外殼間電壓U0為500V時(shí)，絕緣層中漏電流為（）。
真空中有一載流I=500A的無限長(zhǎng)直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為（）T。
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
在R、L串聯(lián)電路中，激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。
圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn)，該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>
圖10-65所示電路，當(dāng)開關(guān)s在位置1時(shí)已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時(shí)刻將開關(guān)s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。