圖10-46所示電路的諧振頻率應(yīng)為（）。
A.1／LC
B.0.5／LC
C.2／LC
D.4／LC
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圖10-45所示電路中，已知R=10Ω，ωL=5Ω，1／ωC=5Ω。若I=0．1A，則U等于（）V。
A.0.5
B.1／
C.1
D.2
圖10-44所示正弦交流電路中，已知R=8Ω，ωL=12Ω，1／ωC=6Ω，則該電路的功率因數(shù)等于（）。
A.0.6
B.0.8
C.0.75
D.0.25
A、超前30°
B、超前60
C、滯后30°
D、滯后60°
圖10-42所示正弦交流電路中，已知電流有效值I=5A，IC=8A，IL=3A；方框N部分的（復(fù)）阻抗Z=（2+j2）Ω；電路消耗的總功率為200W，則總電壓有效值U為（）V。
A.40
B.20
C.20
D.0
圖10-41所示正弦交流電路中，已知=100∠0°，R=ωL=1／ωC=10Ω，則C等于（）A。
A.0
B.5∠π／2
C.10∠π／2
D.10∠-π／2
最新試題
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。
如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場(chǎng)強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。
在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1，在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。
真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。
圖10-68所示電路在開關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為（）。
以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心，距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場(chǎng)強(qiáng)度E：（）。