A.ROM和RAM
B.EPROM和PROM
C.PLA和PAL
D.ROM和GAL
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A.64000位
B.13K×8位
C.8K×8位
D.8K位
A.m；m×n
B.2m；2n
C.2m；2n
D.2m；2m×n
A.當4位二進制數(shù)B>9時，P（A>B.=1
B.當B3=A3時，P（A=B.=1
C.當B3=A3、B2=0、A2=1時，P（A>B.=1
D.當B3=A3、B2=1、A2=0時，P（A>B.=1
A.施密特觸發(fā)器
B.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.多諧振蕩器
A.0
B.1
C.2
D.3
最新試題
能夠起到定時作用的觸發(fā)器是（）。
有一個8位D／A轉(zhuǎn)換器，設(shè)它的滿度輸出電壓為25．5V，當輸入數(shù)字量為11101101時，輸出電壓為（）V。
下列邏輯代數(shù)基本運算關(guān)系式中不正確的是（）。
555定時器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器其回差電壓為（）。
如果一個半導體存儲器中有m位地址線，則應有（）個存儲單元，若輸出位數(shù)為n位，則其存儲容量為（）位。
將一個最大幅值為5V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要使模擬信號每變化10mV，數(shù)字信號的最低位發(fā)生變化，應選用（）位的A／D轉(zhuǎn)換器。
已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。
一個振蕩器電路中晶振元件的標稱頻率是6MHz，電容為30pF，則該電路輸出信號的頻率是（）MHz。
RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲矩陣和讀寫電路三大部分。一個RAM芯片有11個地址輸入端，8個數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。
三態(tài)輸出門可用于（）。