單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)半導(dǎo)體之?dāng)⑹?,何者錯誤?()
A.外質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性較本質(zhì)半導(dǎo)體好
B.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為五價元素
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1.單項(xiàng)選擇題PN半導(dǎo)體加逆向偏壓時會有些許電流產(chǎn)生,乃是因?yàn)椋ǎ┧?
A.正離子
B.負(fù)離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時,二極管接面的空乏區(qū)將()
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
3.單項(xiàng)選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成()
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時,即會產(chǎn)生一空乏層,而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有()
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
5.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加()
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時間
D.以上皆正確
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