單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)溶出伏安曲線的說法不正確的是（）

A.溶出伏安曲線是溶出過程電流隨電壓變化的關(guān)系曲線
B.溶出伏安曲線是富集過程電流隨電壓變化的關(guān)系曲線
C.峰電位是定性分析的依據(jù)
D.峰電流是定量分析的依據(jù)


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于溶出伏安法，下列說法中錯(cuò)誤的是（）

A.溶出伏安法具有較高的靈敏度
B.在陰極溶出伏安法中，富集過程是電氧化，溶出過程是電還原
C.在富集過程中，電極反應(yīng)產(chǎn)物常以汞齊或難溶化合物的形式被富集
D.當(dāng)陽極溶出時(shí)，工作電極的電位以一定速度由正向負(fù)變化

2.單項(xiàng)選擇題實(shí)際工作中，溶出伏安法一般采用定時(shí)富集，下列說法不正確的是（）

A.結(jié)合待測(cè)物濃度選擇富集時(shí)間
B.結(jié)合工作電極性質(zhì)選擇富集時(shí)間
C.結(jié)合待測(cè)物富集電位選擇富集時(shí)間
D.結(jié)合電位掃描速度選擇富集時(shí)間

3.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)溶出伏安法溶出過程的說法中不正確的是（）

A.溶出分為全部和部分溶出兩種
B.若使用懸汞電極，則一定是全部溶出
C.溶出方式多采用線性掃描和示差脈沖
D.汞膜電極溶出峰形狀易改變，重現(xiàn)性較差

4.單項(xiàng)選擇題在陽極溶出伏安法中，富集電位一般控制在比待測(cè)離子峰電位（）

A.負(fù)0.1～0.2V
B.負(fù)0.2～0.4V
C.正0.1～0.2V
D.正0.2～0.4V

5.單項(xiàng)選擇題陽極溶出伏安法靈敏度高的原因主要在于（）

A.采用快速掃描溶出
B.攪拌溶液
C.使用懸汞電極
D.預(yù)電解