單項(xiàng)選擇題氫質(zhì)子在1特斯拉的靜磁場中的共振頻率為（）.

A.64MHz
B.0.36MHz
C.1MHz
D.42.58MHz
E.100MHz


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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)氫質(zhì)子放入靜磁場后，下列情況正確的是（）.

A.氫質(zhì)子磁矢量都平行主磁場且方向相同
B.氫質(zhì)子磁矢量都平行主磁場且方向相反
C.氫質(zhì)子磁矢量都平行主磁場且低能級(jí)質(zhì)子與主磁場方向相同
D.氫質(zhì)子磁矢量都平行主磁場且高能級(jí)質(zhì)子與主磁場方向相同
E.氫質(zhì)子磁矢量不受主磁場影響

2.單項(xiàng)選擇題設(shè)備偽影不可能由下面哪種因素引起（）.

A.機(jī)器主磁場強(qiáng)度
B.磁場均勻度
C.軟件質(zhì)量
D.磁體重量
E.附屬設(shè)備

3.單項(xiàng)選擇題影響MRI圖像質(zhì)量的因素不包括（）.

A.噪聲
B.信噪比
C.對(duì)比度
D.分辨率
E.IR選擇

4.單項(xiàng)選擇題血管成像技術(shù)（MRA）不包括（）.

A.時(shí)間飛躍法MRA（TOF-MRA.
B.相位對(duì)比MRA（PC-MRA.
C.對(duì)比增強(qiáng)MRA（CE-MRA.
D.相位對(duì)比MRA需靜脈注射對(duì)比劑
E.對(duì)比增強(qiáng)MRA需靜脈注射對(duì)比劑

5.單項(xiàng)選擇題脂肪抑制成像技術(shù)不包括（）.

A.化學(xué)位移頻率選擇飽和技術(shù)
B.化學(xué)位移水-脂反相位飽和成像技術(shù)
C.幅度選擇飽和法
D.預(yù)飽和技術(shù)
E.水激勵(lì)技術(shù)