單項(xiàng)選擇題應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是（）。

A.硒鼓檢測(cè)器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.多絲正比室檢測(cè)器


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平板探測(cè)器的敘述，錯(cuò)誤的是（）。

A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏／片系統(tǒng)低
C.其MTF、比屏／片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏／片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于CR的工作原理，正確的是（）。

A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)

4.單項(xiàng)選擇題多絲正比電離室探測(cè)器是（）。

A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器

5.單項(xiàng)選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點(diǎn)不包括（）。

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無(wú)電離輻射