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單項(xiàng)選擇題可晶閘管最外的P層和N層引出兩個(gè)極，分別為（）。

A.陽(yáng)極A和陰極K
B.陰極K和陽(yáng)極A
C.陽(yáng)極A和控制極G
D.控制極G和陽(yáng)極A

1.單項(xiàng)選擇題選擇雙向可控硅時(shí)，其額定電流應(yīng)等于每個(gè)反并聯(lián)普通可控硅額定電流的（）倍。

A.1
B.2
C.2.5
D.4

2.單項(xiàng)選擇題雙向可控硅完全可以代替兩個(gè)（）的普通可控硅。

A.正串聯(lián)
B.正并聯(lián)
C.反串聯(lián)
D.反并聯(lián)

3.單項(xiàng)選擇題三極管中，硅管的結(jié)構(gòu)主要是（）。

A.平面型
B.合金型
C.控制型
D.整流型

4.單項(xiàng)選擇題將正圓錐臺(tái)展開(kāi)放樣時(shí)，若制件尺寸大，畫(huà)放樣展開(kāi)圖費(fèi)工、費(fèi)場(chǎng)地，或需要求得精確的展開(kāi)圖形時(shí)，所采用的展開(kāi)方法是（）。

A.放射線法
B.平行線法
C.計(jì)算法
D.球面法

5.單項(xiàng)選擇題將90°焊接彎頭展開(kāi)放樣時(shí)，應(yīng)盡量保證彎頭內(nèi)側(cè)焊縫之間的距離不要小于（）mm。

A.50
B.60
C.75
D.80