單項(xiàng)選擇題直接轉(zhuǎn)換技術(shù)的DR，應(yīng)用的轉(zhuǎn)換介質(zhì)是（）

A.影像板
B.增感屏
C.碘化銫
D.非晶硒


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于非晶硅探測(cè)器的工作原理，下列正確的是（）

A.X線光子→閃爍晶體→可見光→非晶硅光電二極管陣列→電信號(hào)→逐行取出，量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
B.X線光子→非晶硅光電二極管陣列→閃爍晶體→可見光→電信號(hào)→逐行取出，量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
C.X線光子→非晶硅光電二極管陣列→可見光→閃爍晶體→電信號(hào)→逐行取出，量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
D.X線光子→可見光→非晶硅光電二極管陣列→閃爍晶體→電信號(hào)→逐行取出，量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像
E.X線光子→電信號(hào)→非晶硅光電二極管陣列→閃爍晶體→可見光→逐行取出，量化為數(shù)字信號(hào)→X線數(shù)字圖像

2.單項(xiàng)選擇題對(duì)間接轉(zhuǎn)換型數(shù)字平板探測(cè)器的分辨率下降關(guān)系最小的是（）

A.碘化銫的其針狀（或稱柱狀）結(jié)構(gòu)
B.閃爍體層制作得較厚
C.像素太小
D.像素太大
E.光電二極管/晶體管陣列放置在閃爍體的射出表面上

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于非晶硅平板探測(cè)器的敘述，下列錯(cuò)誤的是（）

A.屬于間接轉(zhuǎn)換型平板探測(cè)器
B.常見的多為碘化銫+非晶硅型
C.碘化銫層的晶體直接生長(zhǎng)在基板上
D.碘化銫針狀結(jié)構(gòu)明顯增加了X線的偽影
E.X線探測(cè)、圖像采集和讀出都是相互獨(dú)立的過程

4.單項(xiàng)選擇題數(shù)字?jǐn)z影（DR）表示的英文單詞是（）

A.datarecognizer
B.dynamicrange
C.digitalradiography
D.datareader
E.degreeofradiation

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電荷耦合器（CCD）技術(shù)的數(shù)字?jǐn)z影（DR）系統(tǒng)，錯(cuò)誤的說法是（）

A.當(dāng)前所有應(yīng)用CCD技術(shù)的DR系統(tǒng)都是間接轉(zhuǎn)換形式
B.臨床熒光體成像區(qū)域與可用的CCD有效區(qū)域之間存在物理尺寸的差異
C.透鏡耦合式的CCD探測(cè)器不可避免地會(huì)導(dǎo)致影像質(zhì)量的下降
D.CCD對(duì)X線敏感，故產(chǎn)品要避免輻射損傷
E.CCD廣泛用于顯示較大面積的臨床圖像