單項選擇題目前各國的水泥生產(chǎn)均以()生產(chǎn)技術(shù)作為優(yōu)先發(fā)展對象。
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
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1.單項選擇題水泥原料經(jīng)烘干、配料、粉碎制成生料粉,然后喂到窯內(nèi)煅燒成熟料的方法稱為()。
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
2.單項選擇題水泥的工藝流程簡單的說就是()。
A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
3.單項選擇題陶瓷的致命弱點在于()。
A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性
4.單項選擇題陶瓷按組成可分為()、氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷。
A、日用瓷
B、建筑瓷
C、硅酸鹽陶瓷
D、結(jié)構(gòu)陶瓷
5.單項選擇題廣義的玻璃包括無機(jī)玻璃,有機(jī)玻璃,金屬玻璃等,狹義的玻璃僅指無機(jī)玻璃,最常見的是()
A、硼酸鹽玻璃
B、硅酸鹽玻璃
C、金屬玻璃
D、硒玻璃
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題