單項選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學參數(shù)中的()。
A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻
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1.單項選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。
A.4HF+Si=SiF4+2H2↑
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O
2.單項選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。
A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2
3.單項選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,最常用的儲能設備是()。
A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池
4.單項選擇題當PN結外加正向電壓時,擴散電流()漂移電流,耗盡層()。
A.大于,變寬
B.小于,變窄
C.大于,變窄
D.小于,變寬
5.單項選擇題在半導體中摻入五價磷原子后形成的半導體稱為()。
A.本征半導體
B.P型半導體
C.N型半導體
D.化合物半導體
最新試題
二極管外接正向電壓,P區(qū)應接電源()
題型:單項選擇題
4位二進制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
題型:單項選擇題
集成運放的反相輸入端,當輸入信號(ui1)由此輸入時,輸出信號(u0)與輸入ui1同相。
題型:判斷題
對理想運放,當運放工作在線性區(qū)時,其輸出電壓與兩個輸入端的電壓差呈非線性關系。
題型:判斷題
二進制計數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進制計數(shù)器實現(xiàn)()分頻。
題型:單項選擇題
集成運放在信號運算中的應用電路有()
題型:多項選擇題
uo與ui大小相等,相位相反,此時的電路稱為反相器,或倒相器。
題型:判斷題
3位二進制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
題型:單項選擇題
3進制的加法計數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。
題型:單項選擇題
放大電路靜態(tài)工作點設置不妥當,會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型:判斷題