單項(xiàng)選擇題將硅錠切割成硅片的過程中，多線切割對硅片造成的損傷層的厚度約為（）μm。

A.10
B.20
C.5
D.15


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1.單項(xiàng)選擇題光伏電池組件電學(xué)特性測試中不必用到的設(shè)備是（）。

A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動(dòng)變阻器

2.單項(xiàng)選擇題測量太陽電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測量它的（）。

A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性

3.單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是（）。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法

4.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面（）。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

5.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是（）。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割