單項(xiàng)選擇題常溫下本征半導(dǎo)體硅的禁帶寬度為（）eV。
A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題按照能帶結(jié)構(gòu)理論，本征半導(dǎo)體的能帶可以分為（）個(gè)。
A.1
B.2
C.3
D.4
2.單項(xiàng)選擇題一般情況下，P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級（）N型半導(dǎo)體的能級。
A.高于
B.小于
C.等于
D.無法確定
3.單項(xiàng)選擇題作為半導(dǎo)體最基本材料的硅，其原子最外層有14個(gè)電子，其各層分布的數(shù)目分別是（）。
A.1，9，4
B.2，8，4
C.3，7，4
D.2，7，5
4.單項(xiàng)選擇題光學(xué)大氣質(zhì)量與太陽天頂角有關(guān)。當(dāng)太陽天頂角為0度時(shí)，大氣質(zhì)量為（）。
A.1
B.2
C.0.5
D.0
5.單項(xiàng)選擇題太陽電池方陣安裝時(shí)要進(jìn)行太陽電池方陣測試，其測試條件是太陽總輻照度不低于（）mW/cm2。
A.400
B.500
C.600
D.700
最新試題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載（）
題型：單項(xiàng)選擇題
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。
題型：單項(xiàng)選擇題
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項(xiàng)選擇題
集成運(yùn)放在信號運(yùn)算中的應(yīng)用電路有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
對理想運(yùn)放，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
題型：判斷題
二極管外接正向電壓，P區(qū)應(yīng)接電源（）
題型：單項(xiàng)選擇題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
全加器的輸出信號是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。
題型：判斷題