多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓


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1.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快

2.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

3.多項(xiàng)選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

4.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過程很短暫

最新試題

對理想運(yùn)放，當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí)，其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型：判斷題

本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。

題型：單項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。

題型：單項(xiàng)選擇題

使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會(huì)下降。

題型：判斷題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型：判斷題

集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有（）

題型：多項(xiàng)選擇題

二極管外接正向電壓，P區(qū)應(yīng)接電源（）

題型：單項(xiàng)選擇題

碼制即編碼體制，在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型：判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。

題型：單項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。

題型：單項(xiàng)選擇題