單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，會(huì)在PN接合面上形成空乏區(qū)，則空乏區(qū)靠N型側(cè)內(nèi)有下列何者？（）

A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子


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1.單項(xiàng)選擇題有關(guān)稽納二極管的敘述，下列何者為真？（）

A.它是個(gè)定電壓組件
B.它是個(gè)定電流組件
C.它工作在順向區(qū)
D.它具有負(fù)電阻特性

2.單項(xiàng)選擇題整塊N型半導(dǎo)體是呈（）

A.負(fù)電性
B.正電性
C.電中性
D.不一定

3.單項(xiàng)選擇題在實(shí)用電路上，變?nèi)荻O管的電容量與外加變?nèi)荻O管兩端之（）

A.逆向電壓成正比
B.逆向電壓成反比
C.順向電壓成正比
D.順向電壓成反比
E.以上皆非

4.單項(xiàng)選擇題下列何者不適于高頻電路？（）

A.透納二極管
B.蕭特基二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管

5.單項(xiàng)選擇題電子的移動(dòng)速度比電洞（）

A.慢
B.快
C.相同
D.不一定