填空題選擇電容器的替代件時(shí)電容器的（）首先要滿足要求。
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敘述推廣新技術(shù)的要求要求有哪些？
題型：問答題
高、低壓電力電纜敷設(shè)在巷道同一側(cè)時(shí)，高低壓電纜相互間距離應(yīng)大于（）m。
題型：單項(xiàng)選擇題
系統(tǒng)分析法是把礦井作為一個(gè)完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，將使用（或局部使用）綜采設(shè)備的生產(chǎn)布局作為一個(gè)技術(shù)方案，與部分使用普采（或高檔普采、炮采）設(shè)備的生產(chǎn)布局作為另一方案進(jìn)行比較。（）
題型：判斷題
簡要說明綜采設(shè)備磨損后的對策分析。
題型：問答題
“停止”的英文表示是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
敘述綜采工作面供電系統(tǒng)的擬定原則。
題型：問答題
繪出MG610/1400-WD采煤機(jī)主控系統(tǒng)框圖并說明其工作過程。
題型：問答題
GTR在應(yīng)用中應(yīng)特別注意二次擊穿問題，在電感性負(fù)載和大電流開關(guān)電路中，二次擊穿是晶體管毀壞的主要原因。二次擊穿將造成GTR的永久性損壞，不具有可逆性。發(fā)生二次擊穿必須同時(shí)具備三個(gè)條件，即高電壓、大電流和（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一切測量都應(yīng)力求實(shí)現(xiàn)既精密又準(zhǔn)確，對直流及慢變干擾信號采?。ǎ詼p少由此種干擾所造成的附加誤差。
題型：填空題
在一個(gè)半導(dǎo)體薄片相對的兩側(cè)通以控制電流，在薄片垂直方向加以磁場，則在半導(dǎo)體另外兩側(cè)會產(chǎn)生一電動(dòng)勢，其大小與控制電流和磁場的乘積成正比。利用這種原理制成的檢測裝置叫做（）。
題型：單項(xiàng)選擇題