單項(xiàng)選擇題吸收劑量測(cè)量通常使用如下幾種方法（）

A.空氣劑量計(jì)、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)、熒光板
B.熱釋光劑量?jī)x、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)、光電倍增管
C.電離室型劑量?jī)x、半導(dǎo)體劑量計(jì)、熱釋光劑量?jī)x、膠片劑量計(jì)
D.非晶硅探測(cè)器、電離室型劑量?jī)x、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)
E.熒光板、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)、熱釋光劑量?jī)x


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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)滿(mǎn)足電子平衡條件時(shí)，吸收劑量和比釋動(dòng)能什么情況下數(shù)值上相等（）

A.加上俄歇電子的能量時(shí)
B.加上韌致輻射損失的能量時(shí)
C.忽略韌致輻射損失的能量時(shí)
D.忽略俄歇電子的能量時(shí)
E.加上俄歇電子和韌致輻射損失的能量時(shí)

4.單項(xiàng)選擇題電離輻射入射到介質(zhì)內(nèi)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生所謂的"建成效應(yīng)"，它指的是（）

A.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少，直到吸收劑量達(dá)到最小
B.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加，直到吸收劑量達(dá)到最大
C.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加先增加然后減少，直到吸收劑量達(dá)到最小
D.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加，直到吸收劑量達(dá)到最小
E.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少，直到吸收劑量達(dá)到最大

5.單項(xiàng)選擇題電子平衡指的是（）

A.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子數(shù)目達(dá)到某種重量平衡
B.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子逃不出該處從而使電子數(shù)目在一段時(shí)間內(nèi)固定不變
C.介質(zhì)中某小區(qū)域入射的電子數(shù)目與逃出該處的電子數(shù)目相同
D.介質(zhì)中某小區(qū)域次級(jí)電子帶走的入射光子貢獻(xiàn)的能量與入射該區(qū)的次級(jí)電子帶來(lái)的能量相等
E.介質(zhì)中電子數(shù)量達(dá)到某一數(shù)值，與另外一處數(shù)目相同