A.腦內(nèi)轉(zhuǎn)移瘤
B.垂體瘤
C.室管膜瘤
D.血管母細(xì)胞瘤
E.淋巴瘤
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A.病灶無強(qiáng)化,可除外星形細(xì)胞瘤
B.出現(xiàn)強(qiáng)化,可除外腦梗死
C.病灶環(huán)狀強(qiáng)化,中心密度高,向四周漸低,應(yīng)考慮腦出血
D.病灶不均勻強(qiáng)化,可考慮淋巴瘤
E.病灶內(nèi)無血管樣強(qiáng)化,可除外海綿狀血管瘤
A.橫斷平掃
B.冠狀平掃
C.高分辨力掃描
D.平掃和增強(qiáng)掃描
E.用骨算法
A.神經(jīng)母細(xì)胞瘤
B.血管母細(xì)胞瘤
C.神經(jīng)上皮性囊腫
D.膠質(zhì)瘤
E.錯(cuò)構(gòu)瘤
A.Ⅳ型:有嚴(yán)重的小腦發(fā)育不全
B.Ⅰ型:扁桃體下疝,通常不伴其他腦畸形
C.Ⅱ型:常伴神經(jīng)管閉合不全和幕上畸形
D.Ⅲ型:伴頸枕交界部腦膨出
E.混合型:同時(shí)具有上述四型的表現(xiàn)特點(diǎn)
女,15天。吸吮反射減弱。CT檢查,最可能的診斷為()
A.腦水腫
B.新生兒缺血缺氧性腦病
C.腦出血
D.先天性無腦回
E.先天性巨腦回
最新試題
高劑量率腔內(nèi)后裝治療與低劑量率腔內(nèi)后裝治療在放射劑量的計(jì)算上需要適當(dāng)轉(zhuǎn)換,兩者校正系數(shù)為()
低熔點(diǎn)鉛中成分最大的是()
以下關(guān)于模擬定位機(jī)描述錯(cuò)誤的是()
4MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()
60鈷射線全擋所需要的低熔點(diǎn)鉛的厚度約為()
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是()
10MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()
全擋塊一般需要半價(jià)層個(gè)數(shù)是()
不是低镕點(diǎn)鉛的成分的是()
不是近距離放療的形式的是()