A.曲霉菌
B.毛霉菌
C.鼻孢子菌
D.念珠菌
E.隱球菌
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A.應(yīng)用止血藥
B.應(yīng)用脫水藥
C.鉆孔引流術(shù)
D.應(yīng)用皮質(zhì)激素類藥物
E.甘露醇脫水準(zhǔn)備開顱
A.原發(fā)性腦水腫
B.繼發(fā)性腦水腫
C.原發(fā)性腦干損傷
D.小腦幕切跡疝
E.枕骨大孔疝
A.大腦前動脈
B.大腦中動脈
C.腦膜中動脈
D.顳淺動脈
E.枕動脈
A.顱內(nèi)無異常
B.顱內(nèi)散在點(diǎn)片狀高密度影
C.顱骨內(nèi)板與腦表面之間雙凸鏡形高密度影
D.顱骨內(nèi)板下新月形高密度影
E.腦內(nèi)圓形高密度影
A.腦震蕩
B.腦挫裂傷
C.硬膜外血腫
D.硬膜下血腫
E.腦內(nèi)血腫
最新試題
關(guān)于模擬定位機(jī)功能描述錯誤的是()
三維計劃系統(tǒng)中,體外照射劑量計算必須()
適用于復(fù)雜無序的多管組織間插植的空間坐標(biāo)重建方法是()
高劑量率腔內(nèi)后裝治療與低劑量率腔內(nèi)后裝治療在放射劑量的計算上需要適當(dāng)轉(zhuǎn)換,兩者校正系數(shù)為()
婦科腔內(nèi)放療曼徹斯特系統(tǒng)要求A點(diǎn)劑量為()
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是()
巴黎劑量學(xué)系統(tǒng)中源活性長度AL與靶區(qū)長度L的關(guān)系描述正確的是()
10MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()
半擋板一般需要半價層的個數(shù)為()
關(guān)于患者治療部位解剖結(jié)構(gòu)的表達(dá)描述正確的是()