單項選擇題巴黎系統(tǒng)中基準(zhǔn)劑量率（BD）和參考劑量率（RD）的相互關(guān)系正確的是（）
A.RD=BD
B.RD=0.9BD
C.RD=0.85BD
D.RD=0.8BD
E.RD=0.75BD
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1.單項選擇題近距離治療中，模照射技術(shù)是指（）
A.體模內(nèi)照射
B.水模內(nèi)照射
C.模具照射
D.蠟?zāi)Ｕ丈?br />
E.敷貼
2.單項選擇題巴黎劑量學(xué)系統(tǒng)中源活性長度AL與靶區(qū)長度L的關(guān)系描述正確的是（）
A.AL=L
B.AL
C.AL>L
D.AL≥L
E.AL≤L
3.單項選擇題現(xiàn)代近距離放射治療包括的形式是（）
A.管內(nèi)及腔內(nèi)照射
B.組織間照射
C.術(shù)中置管，術(shù)后照射
D.模照射
E.A+B+C+D
4.單項選擇題高劑量率腔內(nèi)后裝治療與低劑量率腔內(nèi)后裝治療在放射劑量的計算上需要適當(dāng)轉(zhuǎn)換，兩者校正系數(shù)為（）
A.0.2～0.3
B.0.3～0.5
C.0.5～0.8
D.0.8～1.0
E.1.0～1.2
5.單項選擇題術(shù)中置管術(shù)后近距離治療的優(yōu)點(diǎn)包括（）
A.清醒后照射
B.可拍定位片進(jìn)行劑量計算并優(yōu)化
C.可以多次照射
D.A+B+C
E.A+C
最新試題
6MeV電子束穿射5%所需LML的厚度是（）
題型：單項選擇題
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是（）
題型：單項選擇題
以下關(guān)于治療計劃系統(tǒng)描述正確的是（）
題型：單項選擇題
全擋塊一般需要半價層個數(shù)是（）
題型：單項選擇題
低熔點(diǎn)鉛的熔點(diǎn)為（）
題型：單項選擇題
下列有關(guān)DRR描述中不正確的是（）
題型：單項選擇題
巴黎劑量學(xué)系統(tǒng)中源活性長度AL與靶區(qū)長度L的關(guān)系描述正確的是（）
題型：單項選擇題
根據(jù)劑量率的大小，近距離治療可分為（）
題型：單項選擇題
不屬于現(xiàn)代近距離放療的形式的是（）
題型：單項選擇題
以下關(guān)于模擬定位機(jī)描述錯誤的是（）
題型：單項選擇題