單項(xiàng)選擇題在晶體生長過程中，晶體一側(cè)的原子向熔體一側(cè)擴(kuò)散時，其吉布斯自由能變化是（）。

A.?Ga
B.-V?Gv
C.?Ga +V?Gv
D.?Ga-V?Gv


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1.單項(xiàng)選擇題晶體生長速率類似于（）過程，取決于（）。

A.熔融；從熔體一側(cè)移動到晶體一側(cè)原子數(shù)目
B.擴(kuò)散；從晶體一側(cè)移動到熔體一側(cè)原子的數(shù)目
C.熔融過程；從熔體一側(cè)移動到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差
D.擴(kuò)散過程；從熔體一側(cè)移動到晶體一側(cè)原子數(shù)目和晶體一側(cè)移動到熔體一側(cè)原子的數(shù)目之差

3.單項(xiàng)選擇題相比均勻成核，非均勻成核的成核位壘更（），發(fā)生更加（）。

A.小；困難
B.大；困難
C.?。蝗菀?
D.大；容易

4.多項(xiàng)選擇題處于過冷狀態(tài)的熔體，在能量變化上包括（）變化。

A.形成新相，體積自由能減少
B.形成新的界面，界面能減少
C.形成新相，體積自由能增加
D.形成新的界面，界面能增加

5.單項(xiàng)選擇題在成核生長型相變過程中，在一定范圍內(nèi)，隨著過冷度增加，成核位壘?G*（），晶核形成越（）。

A.增加；容易
B.下降；困難
C.增加；困難
D.下降；容易