單項選擇題對于半導體材料,若(),導電能力減弱。
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強度
D.摻雜非金屬元素
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1.單項選擇題金屬導體的電阻率隨溫度升高而();半導體的導電能力隨溫度升高而()。
A.升高/升高
B.降低/降低
C.升高/降低
D.降低/升高
2.單項選擇題關于N型半導體的下列說法,正確的是()。
A.只存在一種載流子:自由電子
B.在二極管中,N型半導體一側接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,分散三價元素,可形成N型半導體
D.在PNP型的晶體管中,基區(qū)正是由N型半導體構成
3.單項選擇題關于P型半導體的下列說法,錯誤的是()。
A.空穴是多數(shù)載流子
B.在二極管中,P型半導體一側接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,摻雜五價元素,可形成P型半導體
D.在NPN型的晶體管中,基區(qū)正是由P型半導體構成
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已經導通的可控硅,欲使其關斷,下列哪種方法不可取的是()。
題型:單項選擇題
關于晶閘管的下列說法正確的是()。
題型:單項選擇題
未引入負反饋的開環(huán)工作的運放一般工作于()。
題型:單項選擇題
可控硅導通的條件是()。
題型:單項選擇題
在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點設置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形,方便的做法是應()。
題型:單項選擇題
在三極管基本放大電路中,為了獲得最大的不失真電壓放大,應該將靜態(tài)工作點設置在三極管的()。
題型:單項選擇題
某實際運放,已知其直流工作電源是±15V,開環(huán)增益AU0=107。若用于線性運算,則其輸出電壓范圍可能是()。
題型:單項選擇題
可控硅關斷的條件是()。
題型:單項選擇題
關于晶閘管的下列說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
運算放大器構成線形反相比例運算,為了減小運算誤差,則在反相端輸入信號電壓時,其同相端應()。
題型:單項選擇題