單項(xiàng)選擇題測(cè)得某PNP型晶體管E極電位為0.4V,B極電位為1.2V,C極電位為1.5V,可判斷出其工作狀態(tài)為()。

A.截止
B.飽和導(dǎo)通
C.線性放大
D.非線性放大


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1.單項(xiàng)選擇題晶體管中的“β”參數(shù)是()。

A.電壓放大系數(shù)
B.集電極最大功耗
C.電流放大系數(shù)
D.功率放大系數(shù)

2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶體管的集電極電流增量與基極電流增量之比幾乎不變時(shí),晶體管處于()。

A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.放大或飽和區(qū)

3.單項(xiàng)選擇題晶體三極管工作時(shí),溫度升高其死區(qū)電壓();輸入特性曲線()。

A.減?。乙?br /> B.增大/右移
C.增大/左移
D.減?。笠?/p>

4.單項(xiàng)選擇題晶體管工作在放大區(qū)的條件是()。

A.發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置
B.發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)正向偏置
C.發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)正向偏置
D.發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)反向偏置

5.單項(xiàng)選擇題晶體管工作在飽和區(qū)的條件是()。

A.發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置
B.發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)正向偏置
C.發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)正向偏置
D.發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)反向偏置