通常將形成一個位錯的晶體的相移矢量定義為該位錯的柏氏矢量，用b表示。
在實際晶體中，西歐那個任一原子出發(fā)，圍繞位錯（避開位錯線附近的嚴重畸變區(qū)）以一定的步數(shù)作一右旋閉合回路，稱為柏氏回路。
柏氏矢量不等于點陣矢量的不全位錯。
把伯氏矢量等于點陣矢量或其整數(shù)倍的位錯稱為“全位錯”
滑移矢量既不平行也不垂直于位錯線，而與位錯線相交成任意角度的位錯。
原來與位錯線相垂直的品而都將由平而變成螺旋的一種位錯形式。
最新試題
信息存儲材料主要包括（）
燒結(jié)過程中可能出現(xiàn)的現(xiàn)象有（）
按性能分可將復合材料分為（）
電阻率最低的三種元素是（）
下列屬于高分子近程結(jié)構(gòu)的有（）
根據(jù)單體和聚合物之間組成的差異，可將聚合反應分為（）
特種陶瓷的氣孔率在什么范圍？（）
納米粒子的效應有（）
陶瓷材料的鍵接方式為（）
以下能夠通過縮聚反應得到的是（）