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問答題就統(tǒng)計(jì)學(xué)特性而言，PN結(jié)探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)很好的分辨率。如果只考慮統(tǒng)計(jì)漲落問題，一個(gè)5.486MeV的α粒子在金硅面壘探測(cè)器中的能量分辨率是多少？

～4keV

1.問答題載流子在產(chǎn)生之后會(huì)有哪些過程使之損失或無法形成信號(hào)？為什么希望載流子的壽命長？

2.問答題PN結(jié)探測(cè)器中的耗盡層是怎樣形成的？耗盡層的存在與實(shí)現(xiàn)高能量分辨率有什么關(guān)系？

3.問答題在選擇半導(dǎo)體作為探測(cè)器材料時(shí)，應(yīng)考慮什么原則？

應(yīng)該有大的電阻率，以減小漏電流和減小結(jié)電容；
應(yīng)該有長的載流子壽命，以保證大體積下載流子的收集。

4.問答題電子和空穴的飽和漂移速度在什么量級(jí)？

～107cm/s

5.問答題“電子——空穴對(duì)”是如何產(chǎn)生的？

帶電粒子在半導(dǎo)體中的電離，使得價(jià)帶中的電子進(jìn)入導(dǎo)帶，形成電子－空穴對(duì)。