名詞解釋線性緩變結
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MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題