名詞解釋有限表面源擴散
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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型:多項選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么?
題型:問答題
MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題