最新試題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
從設計的觀點出發(fā),版圖設計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題
根據圖,給出M2管的漏極電流表達式。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
什么是MOS器件的體效應?
題型:問答題
目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些?
題型:問答題
集成電容主要有幾種結構?
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設計上采取哪些措施?
題型:問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題