單項選擇題對于方差、均方根偏差、相對均方根偏差,下列說法正確的是()。
A.均方根偏差可以為負數(shù)
B.均方根偏差越大,則相對均方根偏差也必然越大
C.均方根偏差與相對均方根偏差在實際測量中是一個意思
D.相對均方根偏差越小,則測量越精確
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1.單項選擇題對于數(shù)學期望、方差,下列說法錯誤的是()。
A.二者都是常用的統(tǒng)計參數(shù)
B.對于一個隨機變量而言,它的數(shù)學期望、方差的量綱是不同的
C.實驗次數(shù)有限時,算術平均值等于數(shù)學期望
D.方差描述的是隨機變量偏離均值的程度
2.單項選擇題窄束γ射線穿過介質,下列描述正確的是()。
A.可以近似為指數(shù)衰減過程
B.會有一定的最大射程
C.半衰減厚度就是此時的平均自由程
D.水、冰、水蒸氣的線性衰減系數(shù)相同
3.單項選擇題關于康普頓效應,下列說法正確的是()。
A.反散射峰的產生原因就是康普頓效應
B.康普頓截面與介質原子電荷量的2次方成正比
C.散射光子的能量是連續(xù)的,但是反沖電子的能量不連續(xù)
D.如果γ射線與探測器外的物質發(fā)生了康普頓效應,則不可能探測到這個γ光子的信息
4.單項選擇題下列哪項不是γ射線與原子作用可能產生的反應?()
A.電子對效應
B.光電效應
C.康普頓效應
D.湯姆遜散射
5.單項選擇題關于電子的反散射,下列說法不正確的是()。
A.對同種材料,入射電子能量越低,反散射越嚴重
B.對同樣能量的入射電子,原子序數(shù)越高的材料,反散射越嚴重
C.對放射源而言,利用反散射可以提高β源的產額
D.為避免反散射造成的測量偏差,需要用高Z材料制作入射窗
最新試題
下列對中子與原子核的反應截面的描述不正確的是()。
題型:單項選擇題
下列關于真符合的描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
關于延遲符合,下列描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
吸收和散射對探測器活度測量也有影響,下列說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
對偶然符合描述正確的是()。
題型:單項選擇題
測量厚樣品α源,下列說法正確的是()。
題型:單項選擇題
下列關于反應堆中子源的描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
小立體角法是測量α源活度的手段之一,關于此方法的描述錯誤的是()。
題型:單項選擇題
關于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
題型:單項選擇題
改變下列哪項不會對活度探測產生明顯影響?()
題型:單項選擇題