單項(xiàng)選擇題NaI（Tl）晶體主要用來(lái)測(cè)量（）射線的能譜和強(qiáng)度。

A、γ
B、αγ
C、βX
D、γβ


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1.單項(xiàng)選擇題閃爍探測(cè)器主要由閃爍體、（）三部分組成。

A、集光器和光電數(shù)碼管
B、光反射器和電子管
C、光收集部件和光電信增管
D、聚光器和光吸收器

2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體探測(cè)器具有很高（）是其的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)。

A、穩(wěn)定性
B、能量分辯率
C、幅度輸出
D、脈沖電流

3.單項(xiàng)選擇題正比計(jì)數(shù)管應(yīng)該使其工作狀態(tài)保持在輸出脈沖幅度與初始總電離保持（）。

A、恒定關(guān)系
B、正比關(guān)系
C、反比關(guān)系
D、不變關(guān)系

4.單項(xiàng)選擇題氣體電離探測(cè)器包括（）三種。

A.計(jì)數(shù)管、晶體管、電子管
B.電離室、正比計(jì)數(shù)管、數(shù)碼管
C.計(jì)數(shù)管、電離室、數(shù)碼管
D.電離室、正比計(jì)數(shù)管、G-M計(jì)數(shù)管

5.單項(xiàng)選擇題引入組織權(quán)重因素ωT是為了考慮不同組織或器官對(duì)發(fā)生（）效應(yīng)的不同敏感性。

A、確定性
B、隨機(jī)性
C、電解性
D、損傷性