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問答題把不同種類的施主雜質(zhì)摻入同一種半導(dǎo)體材料中，雜質(zhì)的電離能和軌道半徑是否不同？把同一種雜質(zhì)摻入到不同的半導(dǎo)體材料中（例如鍺和硅），雜質(zhì)的電離能和軌道半徑又是否都相同？

不相同

1.問答題純鍺，硅中摻入III或Ⅴ族元素后，為什么使半導(dǎo)體電學(xué)性能有很大的改變？雜質(zhì)半導(dǎo)體（p型或n型）應(yīng)用很廣，但為什么我們很強(qiáng)調(diào)對半導(dǎo)體材料的提純？

2.問答題說明雜質(zhì)能級以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級分別位于價(jià)帶之上或?qū)е拢译婋x能的數(shù)值較??？

3.問答題為什么極值附近的等能面是球面的半導(dǎo)體，當(dāng)改變磁場方向時(shí)只能觀察到一個(gè)共振吸收峰。

各向同性。

4.問答題有兩塊硅單晶，其中一塊的重量是另一塊重量的二倍.這兩塊晶體價(jià)帶中的能級數(shù)是否相等，彼此有何聯(lián)系？

5.問答題為什么半導(dǎo)體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用具有正電荷和一定質(zhì)量的空穴來描述？