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問答題摻雜、改變溫度和光照激發(fā)均能改變半導體的電導率，它們之間有何區(qū)別？試從物理模型上予以說明。

摻雜：增加濃度，
溫度：增加本征載流子
光照：產生非平衡載流子，增加載流子數(shù)目

1.問答題區(qū)別半導體平衡狀態(tài)和非平衡狀態(tài)有何不同？什么叫非平衡載流子？什么叫非平衡載流子的穩(wěn)定分布？

2.問答題光電導靈敏度與光電導增益因子

3.問答題半導體本征吸收與本征光電導

本征吸收：半導體吸收光子能量大于帶隙的光子，使電子直接躍遷到導帶。
又本征吸收產生的非平衡載流子的增加使半導體電導率增加。

4.問答題解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

耿氏振蕩來源于半導體內的負微分電導，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長度。

5.問答題解釋多能谷散射如何影響材料的導電性。

多能谷之間有效質量不同導致遷移率不同，當電子從一能谷躍遷到另一能谷時，遷移率會減低，導致導電性降低。