最新試題
版圖設計的基本前提是什么?
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
集成電容主要有幾種結構?
題型:問答題
MOS器件存在哪些二階效應?
題型:問答題
目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些?
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設計上采取哪些措施?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題
半導體工藝技術中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題