A.一倍近場(chǎng)N
B.1.6N
C.3N
D.4N
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A.5％
B.10％
C.20％
D.40％
A.20dB
B.24dB
C.32dB
D.36dB
A.8dB
B.12dB
C.16dB
D.20dB
A.24dB
B.30dB
C.36dB
D.40dB
A.氣泡
B.夾渣
C.外部沖擊傷痕
D.以上都是
最新試題
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí)，而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，會(huì)使定量誤差增加，精度下降。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。
為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí)，若回波前沿沒有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn)，會(huì)使缺陷定位誤差增加。