BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝用的多 影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。
最新試題
引線鍵合的常用技術有（）。
WLCSP技術最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
下列關于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點，說法正確的是（）。
AUBM的形成可以采用（）方法。
倒裝芯片的連接方式有（）。
載帶自動焊使用的凸點形狀一般有蘑菇凸點和柱凸點兩種。
下面關于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
下面不屬于QFP封裝改進品質(zhì)的是（）。
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。