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問答題存儲(chǔ)器的總體結(jié)構(gòu)包括哪些？

存儲(chǔ)單元陣列、譯碼器、輸入/輸出緩沖器、時(shí)鐘和控制電路。

1.問答題 先進(jìn)的雙極晶體管結(jié)構(gòu)的基本特征是什么？

自對準(zhǔn)工藝、多晶硅發(fā)射極技術(shù)和深槽隔離技術(shù)。

2.問答題為什么正膠在顯影時(shí)很容易被去掉？

因?yàn)檎z在曝光時(shí)被光照的光刻膠發(fā)生分解反應(yīng)。

3.問答題解決雙極型晶體管縱向按比例縮小問題的方法是什么？

采用多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)，避免發(fā)射區(qū)離子注入對硅表面的損傷。

4.問答題N阱CMOS主要工藝步驟是什么？

1、底硅片的選擇；
2、作n阱場區(qū)氧化；
3、作硅柵→形成源、漏區(qū)；
4、成金屬互連線。

5.問答題縮小特征尺寸的目的是什么？