A.直流電流
B.交流電流
C.以上都對(duì)
D.脈沖電流
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A.正比
B.反比
C.不成比例
D.任意
A.恒大于1
B.恒等于1
C.恒等于零
D.恒小于1
A.大于
B.恒等于
C.小于
D.大于等于
A.高電位流向低電位
B.低電位流向高電位
C.高電位流向高電位
D.低電位流向低電位
A.5％
B.10％
C.20％
D.40％
最新試題
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。
由于圓柱形工件有一定的曲率，直探頭與工件直接接觸時(shí)，接觸面為一條很寬的條形區(qū)域，從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。
儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。
對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面，因而其回波高于平底面，會(huì)使定量誤差增加。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。