A.4,高
B.4,低
C.3,低
D.3,高
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A.對(duì)于同一種核,磁旋比γ為定值,B0變,射頻頻率ν不變
B.對(duì)于同一種核,磁旋比γ為定值,B0變,射頻頻率ν變
C.對(duì)于同一種核,磁旋比γ為定值,B0不變,射頻頻率ν變
D.對(duì)于同一種核,磁旋比γ為不定值,B0不變,射頻頻率ν不變
A.減小
B.增加
C.不變
D.無(wú)法判斷
A.10
B.100
C.1000
D.10000
A.光電比色法
B.分光光度法
C.示差分光光度法
D.目視比色法
A.紅移
B.藍(lán)移
C.不變
D.無(wú)法確定
最新試題
自然變寬和同位素變寬是原子固有的性質(zhì)所引起,可設(shè)法消除。
在AAS測(cè)試中,石墨爐原子化時(shí),凈化溫度應(yīng)高于原子化溫度,凈化的時(shí)間為3~5s,目的是去除試樣殘留物,消除記憶效應(yīng)。
在AAS測(cè)試中,原子化條件的選擇對(duì)測(cè)定的靈敏度和準(zhǔn)確度無(wú)影響。
消除AAS測(cè)試中的電離干擾可采用適當(dāng)控制火焰溫度,加入消電離劑(主要為堿金屬元素)等來(lái)抑制待測(cè)原子的電離。
速率理論是以熱力學(xué)平衡為基礎(chǔ)的,而塔板理論是以動(dòng)力學(xué)為基礎(chǔ)的。
內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行氣相色譜定量分析時(shí),內(nèi)標(biāo)物加入量可以隨意加入。
在AAS測(cè)試中的化學(xué)干擾可通過(guò)化學(xué)分離,使用高溫火焰,加入釋放劑和保護(hù)劑,加入緩沖劑或基體改進(jìn)劑等方法來(lái)克服。
分子內(nèi)各種官能團(tuán)的特征吸收峰只出現(xiàn)在紅外光波譜的一定范圍。
在AAS測(cè)試中,火焰原子化時(shí),通常通過(guò)調(diào)節(jié)燃燒器高度來(lái)控制光束通過(guò)火焰的電離、化合區(qū)域。
場(chǎng)致變寬是指在外加場(chǎng)或者帶電粒子形成的場(chǎng)作用下,電子能級(jí)進(jìn)一步發(fā)生分裂而導(dǎo)致的變寬效應(yīng),在原子吸收分析中,場(chǎng)變寬不是主要變寬。