單項(xiàng)選擇題LPL理論認(rèn)為，存活較長的可修復(fù)損傷數(shù)正比于照射劑量，稱為（）
A.A損傷
B.B損傷
C.C損傷
D.D損傷
E.E損傷
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1.單項(xiàng)選擇題兩野對(duì)穿照射時(shí)，為得到大于1的治療增益比，一般應(yīng)使每野在體位中心處的深度劑量PDD1/2間距滿足什么條件（）？
A.≥50%
B.≤50%
C.≥75%
D.≤75%
E.≥90%
2.單項(xiàng)選擇題按IEC對(duì)電子束射野內(nèi)平坦度和對(duì)稱性的要求，90%劑量截面應(yīng)不低于50%劑量截面（射野大?。┑模ǎ?？
A.10%
B.30%
C.50%
D.80%
E.85%
3.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)的技術(shù)擺位要點(diǎn)是升床要準(zhǔn)確（）？
A.SSD
B.SAD
C.ROT
D.STD
E.SRD
4.單項(xiàng)選擇題計(jì)劃危及器官區(qū)的簡稱是（）
A.OAR
B.PORV
C.ORV
D.PRV
E.POAR
5.單項(xiàng)選擇題靶區(qū)模劑量的含義是（）
A.模體內(nèi)接受的平均劑量
B.靶區(qū)模型接受的平均劑量
C.模體內(nèi)最大劑量
D.PTV內(nèi)頻率出現(xiàn)最多的劑量
E.PTV內(nèi)頻率出現(xiàn)最少的劑量
最新試題
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
題型：判斷題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度，定位精度和擺位精度。
題型：判斷題
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能，另一部分為特征X 射線能量。
題型：判斷題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
題型：判斷題
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
題型：判斷題
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū)，提示（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
題型：判斷題
射線能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
題型：判斷題
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
題型：判斷題
源皮距越小，百分深度劑量越大。
題型：判斷題