A.1939
B.1945
C.1949
D.1955
E.1959
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A.半衰期短,能量低
B.半衰期長(zhǎng),能量低
C.半衰期短,能量高
D.半衰期長(zhǎng),能量高
E.劑量分布差,操作復(fù)雜
A.10-60KV
B.60-160KV
C.180-400KV
D.400KV-1MV
E.2-50MV
A.射線(xiàn)質(zhì)
B.射線(xiàn)入射角度
C.照射劑量
D.洗片條件
E.照射劑量率
A.依賴(lài)于電離室的幾何形狀
B.依賴(lài)于電離室的制作材料
C.與電離室的比釋動(dòng)能校準(zhǔn)因子NK有關(guān)
D.與照射量校準(zhǔn)因子NX有關(guān)
E.與吸收劑量校準(zhǔn)因子Cλ,CE有關(guān)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
最新試題
射線(xiàn)能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
源皮距越小,百分深度劑量越大。
伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線(xiàn)立體定向治療系統(tǒng)的精度。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
對(duì)重離子,線(xiàn)性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線(xiàn)的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱(chēng)為射線(xiàn)質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。