A.細(xì)胞增殖
B.細(xì)胞修復(fù)
C.細(xì)胞再氧合
D.細(xì)胞再群體化
E.細(xì)胞時(shí)相的再分布
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A.0.5-0.8cm
B.0.5-1.0cm
C.0.8-1.0cm
D.0.5-1.6cm
E.0.8-1.6cm
A.巴黎劑量學(xué)原則
B.北京系統(tǒng)
C.紐約系統(tǒng)
D.曼徹斯特劑量學(xué)原則
E.斯德哥爾摩系統(tǒng)
A.后裝
B.微機(jī)控制
C.計(jì)算機(jī)計(jì)算劑量
D.放射源微型化
E.以上各項(xiàng)
A.盆腔淋巴結(jié)區(qū)
B.閉孔淋巴結(jié)區(qū)
C.腹腔淋巴結(jié)區(qū)
D.宮頸參考點(diǎn)
E.穹隆參考點(diǎn)
A.巴黎系統(tǒng)
B.斯德哥爾摩系統(tǒng)
C.紐約系統(tǒng)
D.曼徹斯特系統(tǒng)
E.北京系統(tǒng)
最新試題
對(duì)重離子,線(xiàn)性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
低LET射線(xiàn)的RBE值()1.0,高LET射線(xiàn)的RBE值()2.0。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線(xiàn)光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線(xiàn)SRT(SRS)的基本特征。