A.主次關(guān)聯(lián)
B.級(jí)別關(guān)聯(lián)
C.衍生關(guān)聯(lián)
D.次數(shù)關(guān)聯(lián)
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A.性能統(tǒng)計(jì)
B.配置數(shù)據(jù)核查
C.負(fù)載均衡
D.用戶管理
A.操作時(shí),必需戴防靜電手環(huán),并且保證手環(huán)與機(jī)柜上的靜電泄放孔接觸良好
B.必須以同類型同型號(hào)單板更換原單板,且槽位不能插錯(cuò)
C.更換單板前,需確認(rèn)新單板和原來單板燒制的芯片程序完全一致
D.必須在安全時(shí)間(一般是0:00〜6:00)里更換單板
A.eNodeB
B.MME
C.S-GW
D.P-GW
A.QCI
B.UE-AMBR
C.MBR
D.GBR
A.MBR
B.QCI
C.ARP
D.AMBR
最新試題
簡(jiǎn)要說明TD-LTE物理層幀結(jié)構(gòu)。
簡(jiǎn)述UE發(fā)起TAU的原因。
在建設(shè)EPC網(wǎng)絡(luò)時(shí),請(qǐng)您簡(jiǎn)述如何實(shí)現(xiàn)IP包的抓取和分析。
簡(jiǎn)述室內(nèi)分布系統(tǒng)的設(shè)計(jì)規(guī)劃原則。
請(qǐng)寫出TDLTE小區(qū)下行FSS調(diào)度的5個(gè)條件?
簡(jiǎn)述外場(chǎng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析時(shí)主要關(guān)注哪些參數(shù),每個(gè)參數(shù)的作用?
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簡(jiǎn)述觸發(fā)LTE系統(tǒng)內(nèi)切換的主要事件及含義。
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在定點(diǎn)測(cè)試—法線方向好中差定點(diǎn)上下行吞吐量測(cè)試”中“好點(diǎn),中點(diǎn),差點(diǎn)”定義的SINR和RSRP一般分別是多少?