A.環(huán)狀源、面狀源和線狀源
B.點(diǎn)狀源、筒狀源和環(huán)狀源
C.面狀源、點(diǎn)狀源和線狀源
D.環(huán)狀源、線狀源和筒狀源
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.油管沾污和接箍沾污
B.偏心沾污和配水器沾污
C.吸附沾污和沉淀沾污
D.封隔器沾污和套管沾污
A.脫附
B.沾污
C.沉淀
D.濾積
A.表面活性層
B.放射性131Ba離子
C.滲透膜層
D.多孔性吸附骨架
A.50~90
B.100~300
C.300~600
D.600~900
A.50~90
B.100~300
C.300~600
D.600~900
最新試題
泥漿濾液的侵入使孔隙流體發(fā)生了改變,當(dāng)濾液中含有順磁物質(zhì)時(shí)會(huì)()橫向弛豫時(shí)。
在()的概念中,沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是:沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素,沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。
平移斷層斷層面一般較陡,可以是平直的,也可以是彎曲的。平移斷層在剖面上()。
井壁微電阻率掃描成像儀器的電扣越小,分辨率(),井壁電阻率掃描圖像越清晰。
在相同的外加磁場(chǎng)中,不同的原子核的進(jìn)動(dòng)頻率()。
影響核磁共振測(cè)井的主要因素包括()、孔隙流體及巖石的潤(rùn)濕性和地層磁化率差異。
簡(jiǎn)述如何根據(jù)聲電成像測(cè)井確定現(xiàn)今地應(yīng)力的方向。
在薄互層中,泥漿侵入對(duì)井壁微電阻率掃描成像測(cè)量響應(yīng)的影響較之厚層()。
核磁共振測(cè)井觀察的原子核具有選擇性,觀測(cè)地層流體中的()。
核磁共振弛豫受三種機(jī)制控制:表面弛豫、體積弛豫和()。