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問答題 已知半導體材料GaAs（鎵砷）的禁帶寬度E_g=1.43ev，InGaAsP（銦鎵砷磷）的E_g=0.96ev，分別求由這兩種材料組成的半導體激光器的發(fā)射波長。（普朗克常數(shù)h=6.626×10^-34J·S，1ev＝1.6×10^-19J）

1.問答題為什么LD要工作在正向偏置狀態(tài)？何謂激光器的閾值電流？激光器的閾值電流與激光器的使用溫度、使用時間有什么關系？

2.問答題比較半導體激光器（LD）和發(fā)光二極管（LED）的異同。LD有哪些特性？LED有哪些特性？

3.問答題何謂模式截止？光纖單模傳輸?shù)臈l件是什么？單模光纖中傳輸?shù)氖鞘裁茨Ｊ?？其截止波長為多大？階躍折射率光纖中線性極化模LP11模對應的是什么矢量模？

4.問答題光纖中色散有幾種？單模傳輸光纖中主要是什么色散？多模傳輸光纖中主要存在什么色散？

5.問答題光纖中產(chǎn)生色散的原因是什么？色散對通信有什么影響？