單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于DRAM存儲器描述錯誤的是()
A.DRAM存儲器需要對存儲內(nèi)容定時刷新
B.DRAM存儲器具有單位空間存儲容量大的特點(diǎn)
C.DRAM存儲器屬于非易失的存儲器
D.DRAM存儲器主要依靠電容的電荷存儲效應(yīng)記憶信息
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1.單項(xiàng)選擇題某系統(tǒng)需要永久存放高速度寫的數(shù)據(jù),最合適的存儲器是()
A.SRAM
B.FRAM
C.EEPROM
D.Flash
2.單項(xiàng)選擇題某系統(tǒng)需要永久存放大量不再修改的數(shù)據(jù),最合適的存儲器是()
A.SRAM
B.DRAM
C.EEPROM
D.Flash
3.單項(xiàng)選擇題某系統(tǒng)需要永久存放小量參數(shù),而且頻繁訪問,最合適的存儲器是()
A.SRAM
B.DRAM
C.EEPROM
D.Flash
4.單項(xiàng)選擇題某系統(tǒng)需要大量的高速緩存,最合適的存儲器是()
A.SRAM
B.DRAM
C.EEPROM
D.Flash
5.單項(xiàng)選擇題某系統(tǒng)需要小量的高速緩存,最合適的存儲器是()
A.SRAM
B.DRAM
C.EEPROM
D.Flash
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