A.0.52H
B.0.54H
C.0.48H
D.0.46H
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A.產(chǎn)生同方向之磁場以阻止磁通減少
B.產(chǎn)生同方向之磁碭以反抗磁通之增加
C.產(chǎn)生反方向之磁場以阻止磁通之減少
D.產(chǎn)生反方向之磁場以反抗磁通之增加
如圖所示電路,求a、b兩端的總電感Lab=()
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
A.2
B.4
C.6
D.8
如圖所示,鐵心的BC=0.5Wb/m2,假設(shè)鐵心與氣隙之截面積相同,求在氣隙中之磁場強(qiáng)度為何()
A.1.78×105AT/m
B.3.98×105AT/m
C.5.64×105AT/m
D.7.13×105AT/m
如圖所示,C1為33μF,充滿電后,把開關(guān)S由A移至B點(diǎn),則C1之電壓降為75V后達(dá)穩(wěn)定,假設(shè)C2之初電壓為零,則C2值為()
A.44μF
B.33μF
C.22μF
D.11μF
最新試題
電路如圖所示,則()。
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯誤的是()。
一階動態(tài)電路中,下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項(xiàng)是()。
?與單門限比較器相比,以下對遲滯比較器的描述不合理的是()。
關(guān)于電壓源和電流源,下列描述錯誤的一項(xiàng)是()。
?帶通濾波器的品質(zhì)因數(shù)Q取決于()。
如圖所示,描述錯誤的一項(xiàng)是()。
電路如圖所示,運(yùn)算放大器的飽和電壓為±12V,雙向穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為±6V,設(shè)正向壓降為零,當(dāng)輸入電壓Vi=2sinωtV時,輸出電壓VO應(yīng)為()。
?直流穩(wěn)壓電路中,下列各部分功能說法正確的是()。
?以下參數(shù)為運(yùn)放直流參數(shù)的是()。