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單項(xiàng)選擇題電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是（）。

A.溫度對(duì)三極管的影響
B.電流對(duì)三極管的影響
C.電壓對(duì)三極管的影響
D.三者都是主要原因

1.單項(xiàng)選擇題某放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓的有效值為4V，接入3KΩ負(fù)載電阻后，輸出電壓的有效值降為3V，據(jù)此可知放大電路的輸出電阻為（）。

A.1KΩ
B.2KΩ
C.3KΩ
D.4KΩ

2.單項(xiàng)選擇題靜態(tài)工作點(diǎn)Q要求適當(dāng)設(shè)置，Q點(diǎn)偏高時(shí)會(huì)出現(xiàn)（）；

A.飽和失真
B.截止失真
C.不會(huì)出現(xiàn)失真
D.兩種失真都有可能

3.單項(xiàng)選擇題在放大電路中引入負(fù)反饋可使其通頻帶展寬約（）；

A.（1+AF）倍
B.1/（1+AF）倍
C.（1-AF）倍
D.AF倍

4.單項(xiàng)選擇題常溫下，硅二極管在導(dǎo)通后較大電流下的正向壓降約為（）V。

A.0.1
B.0.3
C.0.5
D.0.7

5.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體是在本征硅或鍺中摻入（）價(jià)元素而得到的。

A.1
B.3
C.5
D.7