A.ρNA/MA
B.ρZNA/MA
C.NA/MA
D.ZNA/MA
E.ρZ/MA
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A.氣壓和溫度
B.輸出劑量率
C.電壓和極性
D.電離室的漏電流
E.電離室的桿效應(yīng)
A.中淺層X(jué)射線
B.高能X射線
C.電子束
D.鈷-60射線
E.質(zhì)子束
A.必須使用線源并且相互平行
B.所有放射源的中心必須位于同一平面
C.所有線源強(qiáng)度必須注明和均勻
D.相鄰放射源的間距必須相等
E.當(dāng)使用較長(zhǎng)的放射源時(shí)，源間空隙會(huì)狹窄
A.輻射實(shí)踐必須是正當(dāng)?shù)?br />
B.職業(yè)照射是正當(dāng)?shù)?br />
C.特定的劑量限值
D.醫(yī)療照射的劑量限值
E.防護(hù)和安全最優(yōu)化
A.組織填充物
B.組織補(bǔ)償器
C.楔形濾過(guò)板
D.石蠟
E.托架
最新試題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
帶電粒子入射到物體時(shí)，沒(méi)有確定的射程。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是（）。
射線能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)（能量）的高低。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
低LET射線的RBE值（）1.0，高LET射線的RBE值（）2.0。
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能，另一部分為特征X 射線能量。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。