單項(xiàng)選擇題在集電極調(diào)幅電路中，選擇晶體管時(shí)，需保證BVceo（）。
A.>Ec
B.>2Ec
C.>4Ec
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1.單項(xiàng)選擇題為了改善集電極調(diào)制特性，保持較高的效率，采用的方法不包括（）。
A.基極自給偏壓
B.射極自給偏壓
C.雙重集電極調(diào)幅
2.單項(xiàng)選擇題在集電極調(diào)幅電路中，ECC愈小，集電極電流脈沖凹陷（）。
A.越大
B.不變
C.越小
3.單項(xiàng)選擇題在集電極調(diào)幅電路中，ECC愈小，過壓程度（）。
A.越淺
B.不變
C.越深
4.單項(xiàng)選擇題下列不是基極調(diào)幅波的失真的是（）。
A.波谷變平
B.波腹變平
C.割底失真
5.單項(xiàng)選擇題在基極調(diào)幅電路中，選擇晶體管時(shí)，需保證PCM（）。
A.≥（Pc）c
B.≥（Pc）av
C.≥2（Pc）c
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